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Fachartikel
zur Modellierung von Transistoren
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Auf
dieser Seite finden Sie von mir als Autor oder Co-Autor
veröffentlichte Fachartikel und Konferenzbeiträge zum Thema Modellierung von
Transistoren in zeitlich
chronologischer Reihenfolge. Die mit einem Link versehenen Artikel
stehen als pdf-Datei zur Verfügung.
[1] Berkner, J. : "Untersuchungen zum
Transportmodell
integrierter Transistoren". Praktikumsbeleg, HFO, 1982
[2] Baumann, P., Berkner,J.:
"Kenndatenuntersuchungen
an Bauelementen des HFO – ISA - Systems". , 1982
[3] Baumann,
P., Berkner,J. :
„Modelluntersuchungen
an der integrierten Teilschaltungsanordnung IA616D". Nachrichtentechnik
Elektronik, Berlin 33 (1983) , S.48 - 52
[4] Baumann, P., Berkner,J.:
Modellierungsergebnisse
zu Transistorarrays“, Zeitschrift „Applikative Information“,
Reihe A des VEB Applikationszentrum Elektronik, Berlin 1983
[5] Berkner, J. : "Modellierung
integrierter
Strukturen des HFO - ISA - Systems". 4. Schaltkreistagung 1990, TU
Dresden
[6] Fulde, H.;
Berkner, J. : "Bipolare
Master des ISA
- Systems". Elektronik Industrie, Januar 1992, S. 92 – 94
[7] Berkner, J. : "Kit Parts des ISA -
Systems".
Elektronik Industrie, Mai 1992, S. 110 – 113
[8] Berkner, J. : "Parasitäre
Effekte bei der
SPICE - Modellparameterbestimmung für integrierte
Transistoren".
In: Proceedings of the first European IC-CAP User’s Group Meeting, June
22 and 23, 1993 Esslingen
[9] Berkner,
J.: "A Survey of DC - Methods for
Determining the Series Resistances of Bipolar Transistors including the
new
delta - ISub - Method".
In: 1st Combined European Hewlett Packard
HP4062 & IC-CAP User Meeting Proceedings, 9. -12.10.94
[10] Berkner,
J., Baumann, P.: " VDMOS - Subcircuit -
Modeling an Model Parameter Extraction". In: European IC-CAP User
Meeting Proceedings, 28 -29 September 1995, The Hague, The Netherlands
[11] Zimmer, T;
Branciard, B.; Lewis, N.;
Duluc,
J.B., Dom, J.P. (University of Bordeaux and Berkner, J.(System
Microelectronic Innovation);: "Method for Determining the Effective
Base Resistance of Bipolar Transistors". Proceedings of the 1996
Bipolar Circuits and Technology Meeting, IEEE, pp. 122-125
[12] Berkner, J. :
"delta - ISub - Method
for BJT
Collector
Series Resistance Determination". Hewlett Packard, Characterization
Solutions, Volume 2, Issue 1, 1997
[13] Berkner,
J.: "Parameter Extraction for BJT
Quasisaturation Models". In: European IC-CAP User Meeting Proceedings,
Oct.1997 Berlin
[14] Berkner,
J.: "Emitter and Collector Resistance Determination for integrated
Lateral
PNP Transistors using Substrate Effects". In: European
IC-CAP User Meeting Proceedings, Oct.1997 Berlin
[15]
Berkner, J.: "Parameterextraktion
für das
VBIC – Modell“; Beitrag zum Arbeitskreis Bipolar, Heilbronn 1998
[16] Berkner,
J.: "Modeling the Vertical PNP –
Transistor using ICCAP and VBIC ". In: European IC-CAP User Meeting
Proceedings, June 1999 Marseille
[17] Berkner,
J.:
"Messungen zur Verifizierung der
Kalibrierung des NWA HP8510C“, AKB 1999,
Hamburg
[18] Berkner,
J., Knoblinger, G.: "1/f-Noise
Measurement Method using a Low Current Noise Amplifier“; AKB, München 19.10.2000
[19] Berkner, J.: „Contributions to HICUM
Parameter
Extraction“, HICUM Workshop, June 14/15 2001, Dresden
[20] Berkner, J.: „Novel Bipolar Compact
Models“,
Beitrag zur Kolloquiumsreihe „Neue Design-Techniken“, GFWW Frankfurt /
Oder, 18.6.2001
[21] Berkner, J.: „Proposal for HICUM
Transit Time
Parameter Extraction“, HICUM Workshop at the 2001 Bipolar / BiCMOS
Circuits and Technology Meeting, 30.9.2001, Minneapolis, MN
[22] Berkner, J.: „Bipolar Model
Parameter
Extraction“, Short Course at the 2001 Bipolar / BiCMOS Circuits and
Technology Meeting, 30.9.-2.10.2001, Minneapolis, MN
[23] Berkner, J.: „HICUM
Parameterextraktion –
Erfahrungen und Methoden“, Arbeitskreis Bipolar, 25.10.2001,
Frankfurt / Oder
[24] Berkner,
J.:
„Problems using VNA HP 8753 E for
S-Parameter-Measurements“, AKB 2001, Oct.25, Frankfurt
/ Oder
[25] Berkner,
J.: „Compact Models for Bipolar
Transistors“, European ICCAP Workshop, 7./8.March 2002, Berlin
[26] Berkner, J.: „Principles and
Properties of
Bipolar Compact Models – Part 1“, HF-Entwicklungs-Kolloquium, Infineon
Technologies, 9.4.2002
[27] Berkner, J.: „Principles and
Properties of
Bipolar Compact Models – Part 2“, HF-Entwicklungs-Kolloquium, Infineon
Technologies, 16.4.2002
[28] Berkner,
J.: „Performance Comparison using
HICUM- and SQ0- Bipolar Models“, HWS 2002, June 6/7, Dresden
[29] Berkner, J.: „How to improve ICCAPs
ability to
generate scalable bipolar compact Models“, AKB 2002,
Nov. 6., Berlin
[30] Berkner,
J.: „Modeling Selfheating
using HICUM“, HWS 2003, June 16/17 2003, Dresden
[31] Berkner,
J.: „HP8510
Options“, AKB 2003, Oct. 23., Graz / Unterpremstätten
[32] Berkner,
J.: „How to Improve ICCAPs Ability to
generate scaled model parameters“, European ICCAP User Meeting,
29./30.October 2003, Prag
[33] Tilke, A., Rochel, M.,
Rothenhäußer,
S., Stahrenberg, K., Goller, K., Junge, A. Pribil, A., Föste,
B.,
Wiedemann, J., Tegeler, M., Berkner, J., Wagner, C., Dahl, C: “Quarter
Micron BiCMOS Technology Platform with Implanted-Base- or SiGe-Bipolar
Transistors for Wireless Communication ICs“, accepted for publication
by Solid State Electronics in 2004
[34] Tilke,
A., Rochel, M., Berkner, J.,
Rothenhäußer, S., Stahrenberg, K., Wiedemann, J.,
Wagner,
C., Dahl, C: “A Low-Cost Fully Self-Aligned SiGe BiCMOS Technology
Using Selective Epitaxy and a Lateral Quasi-Single-Poly Integration
Concept”, Transactions on Electron Devices, Vol.51, No.7, July 2004,
p.1101-1107
[35] Berkner, J.: „Modeling a
RF Power
Transistor using the ICCAP Toolkit HICUM Aperitif 1.0” , HWS 2004, June 15/16 2004,
Bordeaux, France
[36] Lagies, Arrasch; Berkner,
Jörg; Malladi,
Ramana M., Newton, Kim M.; Parker, Scott: “DC Temperature Behavior of
HICUM”, HWS 2004, June 15/16, Bordeaux, France
[37] Berkner,
J.: „Current Tendencies in SiGe
BiCMOS Technology Developments”, AKB 2004,
Nov.12
[38] Berkner,
J.: „Cleaning
Calibration
Substrates – How to proceed ?”, AKB 2004, Heilbronn,
Nov.12
[39] Berkner,
J.: "The apparent parasitic breakdown", AKB2005,
Reutlingen, Oct. 28
[40] Berkner,
J.; Thiele, C.: "Deembedding Effects on ColdS-Parameter Measurements", AKB 2005, Reutlingen, Oct.28
[41] Berkner,
J.: "Experience using the XMOD Master Toolkit HMT ", HWS 2006, June 12/13, Heilbronn
[42] Berkner, J.:
" Transistor Nr.9 - Ein Streichholzschachtelfund und die Geschichte
dahinter", Scriptum, Mitteilungsblatt des Historischen Archivs der
Infineon Technologies AG, 12/2006.
[43] Berkner, J.: "Extraction
of the thermal resistance
and it's temperature dependence using DC methods", HWS 2007, June 18.+19., Dresden
[44] Berkner, J.: "Bandgap Reference Simulation . Principles and Problems", AKB2007, Munich, Oct. 18 + 19
[45] Berkner, J.: " Experience with Hicum Level 0 v1.2", AKB 2008, Hamburg, Oct. 30
[46] Berkner, J.: " Proposal for Modeling the barrier effect in HL0", AKB 2008, Hamburg, Oct. 30
[47] Berkner, J: " Tips and Tricks for Daily Modeling Work", AKB2009, Würzburg
[48] Berkner, J: " Application of HL0v12 to Infineons B6CA-Technology", HWS2010, Dresden, Sept. 24
[49] Berkner, J: " What happens if VBIC fails in QS", AKB2010, Crolles, Oct. 14
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