             © Jörg Berkner |
1 Statt einer Einleitung: Brauchte die DDR die Mikroelektronik? 5 1.1 Die Rahmenbedingungen für den Aufbau der Mikroelektronik 7 1.1.1 Der schwere Anfang: Demontage und Reparationen 7 1.1.2 Das Embargo und wie es umgangen wurde 9 1.1.3 Warum die Arbeitsteilung im RGW nicht funktionierte 15 1.2 Die DDR-Mikroelektronik im internationalen Vergleich 18 1.2.1 Führende Position unter den RGW-Ländern 20 1.2.2 Wie groß war der Rückstand zum Westen? 26 1.3 War die DDR zu klein für die Mikroelektronik? 32 2 Die Entwicklung der Mikroelektronik-Industrie der DDR 36 2.1 Das Institut für Halbleitertechnik Teltow / Stahnsdorf 37 2.2 Die ersten DDR-Schaltkreise – entwickelt von AMD 41 2.3 Eine Richtungsentscheidung mit weitreichenden Folgen 42 2.4 Von der VVB zum Kombinat 45 2.5 Von der Elektronenröhre zum Mikroprozessor – das Funkwerk Erfurt 49 2.6 Das neue Mikroelektronik-Kombinat 50 3 Die Entwicklung des Halbleiterwerkes Frankfurt (Oder) bis zur Wende 54 3.1 Die 60er Jahre – ein neues Werk entsteht in Markendorf 54 3.1.1 Neubauten auf der grünen Wiese 56 3.1.2 Vom Legierungs- zum Mesatransistor 59 3.1.3 Neue Bauelemente – die Planartransistoren 63 3.1.4 Niedrige Ausbeute, geringe Produktivität 65 3.1.5 R100 – die erste EDV-Anlage im HFO 67 3.1.6 Der Kristallspiegel 69 3.2 Die 70er Jahre – die ersten integrierten Schaltungen 71 3.2.1 Das Werk wird erweitert 72 3.2.2 Die ersten Schaltkreise aus dem HFO 74 3.2.3 Wichtige Voraussetzung - der Schaltungs- und Layoutentwurf 76 3.2.4 Eine neue Produktionsorganisation 77 3.2.5 Größere Scheiben – höhere Produktivität 79 3.2.6 Die Konsumgüterproduktion 80 3.3 Die 80er Jahre – neue Technologien für neue Bauelemente 84 3.3.1 Der Ausbau des Werkes wird fortgesetzt 85 3.3.2 Das Direktorat Forschung und Technologie 87 3.3.3 Schaltungs- und Layoutentwurf mit selbstentwickelter Software 90 3.3.4 Schaltkreisproduktion auf 100-mm-Scheiben 93 3.3.5 Automatisierung bei der Schaltkreismontage 94 3.3.6 Scheiben- und Endmessung in den 80er Jahren 95 3.3.7 Bildschirmspiel und Radiowecker 96 3.4 Das Technologiespektrum Ende der 80er Jahre 99 3.5 Plan und Realität 100 3.6 Das Bauelementesortiment des HFO 104 3.6.1 Germanium-Transistoren und -Dioden 105 3.6.2 Silizium-Transistoren 106 3.6.3 TTL-Logik-Schaltkreise 108 3.6.4 Schaltkreise für Rundfunkgeräte 109 3.6.5 Schaltkreise für Fernsehgeräte 111 3.6.6 NF-Verstärker 112 3.6.7 Spannungsregler und Spannungsreferenzen 115 3.6.8 Operationsverstärker und Komparatoren 116 3.6.9 A/D- und D/A-Wandler 118 3.6.10 Ansteuer- und Treiberschaltkreise 121 3.6.11 Hall-Schaltkreise 122 3.6.12 Initiatorschaltkreise 123 3.6.13 Kamera-Schaltkreise 124 3.6.14 Zeitgeber-Schaltkreise 125 3.6.15 Schaltkreise für die Nachrichtentechnik 125 3.6.16 Kundenspezifische Schaltkreise 126 3.6.17 Taschenrechner-Schaltkreise 130 3.6.18 Nachentwicklung contra Eigenentwicklung 130 3.7 Die Halbleiter-Symposien 131 3.8 Die Entwicklung der Beschäftigtenzahl 133 3.9 Die sozialen Einrichtungen 137 3.9.1 Mit Bus und Bahn - der Berufsverkehr 137 3.9.2 Gesundheitsvorsorge - die Betriebspoliklinik 139 3.9.3 Familienfreundlich - die Betriebskindergärten 140 3.9.4 Lernen, lernen, nochmals lernen - die Betriebsschule 141 3.9.5 Nachwuchsförderung - die Spezialschule C.F.Gauß. 149 3.10 Leben war mehr als nur Arbeit 151 4 Das Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) nach der Wende 160 4.1 Die Situation der DDR-Mikroelektronik zur Wende 161 4.2 Der erste Privatisierungsversuch – die PTC AG 161 4.3 Ein neues Privatisierungskonzept – die MTG mbH 164 4.4 Es war chaotisch 168 4.5 Endlich ein Investor – die HEG wird gegründet 170 4.6 SMI - Neuer Name, alte Probleme 172 4.7 Neustart – die Gründung von SIMI und MD&D 178 4.8 Neue Hoffnung aus Amerika – MEGAXESS 181 5 Communicant oder wie man es nicht machen sollte 182 5.1 Das Wunder an der Oder 182 5.2 Schwierigkeiten, Verzögerungen und Affären 183 5.3 Hauptproblem Finanzierung 185 5.4 Schmelzender Technologie-Vorsprung 186 5.5 AUS nach 34 Monaten 188 5.6 Untersuchungsausschuss 192 6 Ausblick 194 7 Kurze Historie der Halbleitertechnologie 196 7.1 Herstellung von Legierungstransistoren 196 7.2 Herstellung von Drifttransistoren 198 7.3 Montage von Legierungs- und Drifttransistoren 199 7.4 Herstellung von Mesatransistoren 200 7.5 Herstellung von Planartransistoren 202 7.5.1 Fotolithografie 202 7.5.2 Scheibenprozess 203 7.5.3 Montage 204 7.6 Herstellung von integrierten Schaltungen 205 7.6.1 Scheibenprozess 205 7.6.2 Scheibenmessung 209 7.6.3 Montage 209 7.6.4 Endmessung 214 7.7 Neue technologische Entwicklungsrichtungen 215 8 Anhang 217 8.1 Zur wirtschaftlichen Situation der DDR im Jahre 1950 217 8.2 Zum Warenaustausch zwischen DDR und UdSSR 218 8.3 Kombinate des Ministeriums Elektrotechnik und Elektronik 219 8.4 Zum Stand der Halbleiterindustrie der BRD im Jahre 1990 220 8.5 Zeittafel zur Geschichte des Halbleiterwerkes 221 8.6 Übersicht zur Nutzung der Hallen 2, 3, 5 und 6 226 9 Literatur 227 10 Danksagung 238
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