             © Jörg Berkner |
Die
Technologie zur Herstellung
von Halbleiterbauelementen wurde in den vergangenen fünfzig
Jahren ständig
weiterentwickelt. Heute gehören die Verfahren, mit denen in
den 50er, 60er und
70er Jahren gearbeitet wurde, schon zur Technikgeschichte. Für
den technisch
interessierten Leser werden daher im Kapitel 7 einige der
technologischen Verfahren in allgemeinverständlicher Form
dargestellt, die im
Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) bei der Herstellung von Transistoren
und
Schaltkreisen angewendet wurden.
Die
Montage der Germanium-Transistoren in ein Gehäuse
wurde unter Schutzgasatmosphäre durchgeführt. Die
Arbeiterinnen führten dabei
die notwendigen Arbeitsschritte innerhalb der Schutzgasbox
über Öffnungen
durch, die mit gummihandschuhartigen Dichtungen versehen waren. (Foto:
HFO)
Montage
eines Chips in ein Keramikgehäuse:
Trägerstreifenelement (a), untere
Gehäusehälfte mit Chip (b),
Trägerstreifenelement mit unterer
Gehäusehälfte und Chip (c), fertiges Gehäuse
(d)
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