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©
Jörg Berkner
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"Kompaktmodelle
für Bipolartransistoren" beschreibt im Detail die vier heute
wichtigsten Simulationsmodelle für Bipolartransistoren: SGP,
VBIC,
HICUM und
MEXTRAM. Während das SGP-Modell seit den siebziger Jahren verwendet wird und somit gut bekannt ist, erzeugte die in den letzten Jahren erfolgte Entwicklung der neuen Simulationsmodelle VBIC, HICUM und MEXTRAM einen großen Informationsbedarf zur Wirkungsweise dieser Modelle, zu ihrer Anwendung und zur Extraktion der entsprechenden Modellparameter. Ziel dieses Buches ist es, den Schaltungsentwicklern, Technologen und Entwicklungsingenieuren in der Halbleiterindustrie die notwendigen Informationen für das Verständnis und die Anwendung dieser Modelle zu liefern. In
Kapitel 1
werden verschiedene Modellkategorien
erläutert und für den Zweck des Buches wichtige
Grundlagen zum Bipolartransistor rekapituliert. In
den Kapiteln
2 bis 5 werden
die Modellgleichungen von SGP- VBIC-, HICUM- und MEXTRAM Modell
dargestellt.
Dabei wurde großer Wert auf eine anschauliche Darstellung der
Funktionsweise
der
Modellgleichungen mit Hilfe von Prinzipskizzen und
Berechnungsbeispielen
gelegt. Im
Kapitel 6
„Messungen zur Modellparameterbestimmung“
wird auf die
verschiedenen Kategorien von Messungen eingegangen, die als Grundlage
für die
Modellparameterbestimmung notwendig sind. Das
Kapitel 7
„Methoden zur Modellparameterbestimmung“
umfasst eine
Darstellung von allgemeingültigen Methoden zur Bestimmung von
Modellparametern. Im
Kapitel 8
„Strategien zur
Modellparameterbestimmung“ werden schließlich
Extraktionsstrategien für die
Modelle SGP,
VBIC, HICUM und MEXTRAM vorgestellt.
Der
Leser muss dieses Buch
nicht
vollständig von vorn nach hinten durcharbeiten. Er kann es
auch
als
Nachschlagewerk verwenden, wenn er Fragen zu den behandelten Modellen
hat oder
wenn er vor der Aufgabe steht, für diese Modelle
Modellparameter
bestimmen zu
müssen.
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